输出功率半导体器件能够能够实现比Si基输出功率半导体器件更高的控制开关频次

因为传统形式集成电路制程技术工艺技术已是化学突破极限，技术方面研发生产成本骤增，制作每个节点的更新增加难度系数越发大，摩尔定律演进过程起始明显放缓，集成电路业内争相在新兴材料和半导体器件上去寻求再次突破。以新基本原理、新材料资料、新整体结构、采用新工艺为明显特征的可能超越摩尔定律为相关产业发展带给发展新机遇。第四代集成电路是可能超越摩尔定律的最重要的发展内容。与Si材料资料相比较，第四代集成电路材料资料拥用低频、低功率、抗高温，、抗低幅射、光电技术功能优异表现等特征，尤其很适合于制作如微波射频技术半导体器件、光电子元器件、常规电力电子元器件，是将来集成电路相关产业发展的最重要的方向上。

第四代集成电路在新基础建设投资中广泛的使用

以第四代集成电路为两个基础制备过程的电子元器件，是强力支撑新基础建设投资中5G基础建设投资、新能源车汽车给手机充电桩、特高压直流及城市轨道交通五大市场领域的最关键重要核心。

全世界多国等在积极地发展规划建设5G。然而，5G网络规划建设、5G智能机运用、5G信号基站规划建设等其他方面还处在雏形规划建设时段，不存在较小的发展更多空间。瓦克首席顾问汇总，截止2020年3月初，全世界123个国家政府的381个电信运营商正式宣布过它们正在资金投入规划建设5G；40个国家政府的70个电信运营商供给了这项或12项完全符合3GPP准则的5G服务；63个电信运营商发布最新了完全符合3GPP准则的5G移动服务；34个电信运营商发布最新了完全符合3GPP准则的5G相对固定和无线接入系统或家用型光纤宽带服务。瓦克首席顾问汇总，截止2020年2月底，中华人民共和国已开启了6亿个5G信号基站，相关计划在2020年能够实现55亿个5G信号基站的规划建设具体目标。截止2019年末，在韩国相关计划在其85个都市规划建设23亿个5G信号基站；尤其是美国相关计划规划建设60亿个5G信号基站；奥地利相关计划规划建设4亿个之上5G信号基站。GaN材料资料具有独特让带长度大、打穿电荷高、饱和状态电子科技速度大、导热系数高、化学性质相对稳定和防辐射能力方面强等缺点，成了耐热、低频、功率如微波半导体器件的最佳选择材料资料当属。在通讯信号基站其应用领域，GaN是将来最具增涨潜力的第四代集成电路材料资料当属。与GaAs和InP等低频工艺技术相比较，GaN半导体器件能输出的输出功率更大；与LDCMOS和SiC等输出功率工艺技术相比较，GaN的频率特性更好地，GaN射频技术半导体器件已成了5G时期较小信号基站输出功率功率放大器的候选名单技术方面。

为能满足新能源车汽车产业发展的发展需要，自2011年起，新能源车汽车给手机充电桩就始终处于迅速规划建设的时段。新能源车汽车给手机充电桩以公共空间给手机充电桩为辅，当前其数量最少的新兴经济体分别为是中华人民共和国、欧盟成员国和尤其是美国。截止2019年末，尤其是美国和欧盟成员国分别为约有5亿个和9亿个公共空间给手机充电桩。我们国家《纯电动汽车给手机充电基础设施建设发展实用指南》策划，到2020年我们国家分散式给手机充电桩的具体目标是超过2480亿个，以能满足全中国50016万辆纯电动汽车给手机充电消费需求，锁桩比近1∶1。给手机充电核心模块是给手机充电桩的关键部件，其整体成本占装备成本的50%。给手机充电核心模块可将输电网中的直流电转换成为充电锂电池的交流电。另外，给手机充电核心模块不但能够供给电力常规电力，还能够对电路元件通过以及控制、转换成，确保电力供应电路元件的稳定度。伴着我们国家新能源车汽车整个市场的逐渐扩大，给手机充电桩整个市场未来发展前景也越发广袤。SiC输出功率半导体器件能够能够实现比Si基输出功率半导体器件更高的控制开关频次，具有高能量效率、超级小体积大小的基本特性。在重量轻同时间还能需要支持迅速给手机充电的其要求下，十几台车一同迅速给手机充电需要能达到几千千瓦的输出功率，一个纯电动汽车充电桩可谓要能达到十万瓦的输出功率，等于一个小区内家庭用电的输出功率整体规模。传统形式的Si基输出功率半导体器件体积大小较小，但SiC核心模块则能够能够实现以非常小的体积大小能满足输出功率上的苛刻其要求。因而SiC输出功率半导体器件在给手机充电核心模块中的市场渗透率不断地减小。

中华人民共和国因为领土面积较小、常规电力消费需求较强，因而中华人民共和国积极地发展特高压直流规划建设，且渐渐进出口全世界。较于于传统形式高压环境输电线路，特高压直流输电线路技术方面的输电线路大容量将提高2倍之上，可将常规电力直接送达超过22500公里的输送到距离，输电线路耗损可大大降低约60%，单位大容量整体造价大大降低约28%，单位新线路走廊中长度输送到大容量增多30%。因为输出功率集成电路是常规电力电子科技的重要核心半导体器件，因而做为输出功率集成电路材料资料的SiC在快流特高压直流上游供应链中也有许多应用机遇。SiC半导体器件能够显著地大大简化液态配电变压器的电路元件整体结构，增大散热片更多空间，并经过提高控制开关频次来提升单位能量效率。SiC半导体器件能够代替LCC中运用的Si基可控硅，SiCMOS能够代替VSC中运用的IGBT。当前，SiC半导体器件已在中配电系统网启动后应用。将来，更高输出电压、更超大容量、更损耗低的具有柔性电力工程也将对高压电级之上的SiC输出功率半导体器件有多量消费需求。

导引并网逆变器做为重型机车功率沟通交流传动部分的重要核心设备，为导引该系统供给和动力，具有独特负载能力基本特性非常特殊、持续运行坏境很复杂和负载能力改变大等特征。因为全世界城际铁路客运专线和都市城市轨道交通处在持续的迅速扩张的发展时段，助推了城市轨道交通的自然绿、智能化发展发展，也对导引并网逆变器及导引驱动电机的微型化、轻量化设计明确提出更高其要求。将SiC半导体器件应用于城市轨道交通导引并网逆变器，能非常大层度地充分发挥SiC半导体器件耐热、低频和损耗低的特征，提升导引变流器设备的效率方面，利于助推导引并网逆变器设备的微型化和轻量化设计发展，有助于可减轻城市轨道交通的载重量该系统。

2022年底衬及半导体器件整个市场整体规模将能达到217亿元及6217亿元

在5G、新能源车汽车、自然绿照明设备、快充等快速崛起市场领域迅猛发展及国家政府各种政策加大力度扶植的核心动力下，2019年，我们国家第四代集成电路底衬材料资料整个市场再次速度保持增涨，整个市场整体规模能达到867亿元，同比去年增涨7%。预计今年将来五年中华人民共和国第四代集成电路底衬材料资料整个市场整体规模仍将能保持20%之上的平均达增长率。2019年，我们国家第四代电力电子器件整个市场整体规模能达到297亿元，增长幅度能达到7%。至2022年，第四代电力电子器件整个市场整体规模将能达到6217亿元，增长幅度能达到4%。

将来五年，SiC材料资料将成了IGBT和MOSFET等功率低频输出功率电力电子器件的两个基础材料资料，被广泛地主要用于沟通交流驱动电机、软启动器、照明设备电路元件、导引传动系统市场领域。预计今年到2022年SiC底衬整个市场整体规模将能达到547亿元。将来伴着5G商用化的加大，现在通行国内厂商将更加由原本的4G装备更新增加至5G。